紧追 SK 海力士,三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存

紧追 SK 海力士,三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存


据 BusinessKorea 报道,三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外,它还计划在本月开设一个新的研发中心,负责更先进 NAND 闪存产品的开发。

当前,存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK 海力士最近完成了 238 层产品的开发,美光科技宣布开发出全球首款 232 层 NAND 闪存产品。

在 NAND 闪存市场,三星电子的市场份额占了 35%,为全球最高。不过,三星电子目前的层数记录只为 176 层。韩媒指出,三星正准备将凭借其生产技术和价格和性能的竞争力将其增加 60 层。

外媒透露,SK 海力士正在开发的 UFS 4.0 闪存的数据处理速度:连续读取 4000 MB/s,连续写入 2800 MB/s。外形规格为 11×13×0.8mm。仅从速度来看,现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。

作为对比,三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND(V7),连续读取 4200 MB/s,连续写入 2800 MB/s,外形规格为 11×13×1mm。

《消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存,有望明年上半年量产》

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